Resaltar:
El tipo: |
MOSFET, transistores de efecto de campo, chips IC |
Temperatura de funcionamiento: |
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Tipo de montaje: |
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Descripción: |
transistores |
D/C: |
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Tipo de paquete: |
En el agujero |
Solicitud: |
finalidad general |
Tipo de proveedor: |
Fabricante original, ODM, agencia, minorista, otro |
Medios disponibles: |
Hoja de datos, fotografía, modelos EDA/CAD, otros |
Marca: |
Transistor del MOSFET |
Corriente - colector (Ic) (máximo): |
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Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): |
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Vce saturación (máx) @ Ib, Ic: |
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Actual - atajo del colector (máximo): |
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La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce: |
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Potencia - máximo: |
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Frecuencia - Transición: |
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Envase / estuche: |
2SK4115 |
Resistencia - Base (R1): |
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Resistencia - Base del emisor (R2): |
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Característica del FET: |
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss): |
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Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: |
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Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: |
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Vgs(th) (máximo) @ Id: |
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
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Frecuencia: |
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Clasificación de corriente (amperios): |
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Figura del ruido: |
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Potencia - Producción: |
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Voltado nominal: |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (máximo): |
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Tipo de IGBT: |
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Configuración: |
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Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic: |
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Capacidad de entrada (Cies) @ Vce: |
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Ingreso: |
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El termistor NTC: |
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Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
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Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Dren actual (identificación) - máxima: |
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Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
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Resistencia - RDS (encendido): |
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Válvula de tensión: |
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Voltado - Salida: |
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Voltaje - compensación (Vt): |
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Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao): |
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Actual - valle (iv): |
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Actual - pico: |
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Aplicaciones: |
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Tipo de transistor: |
Transistores de potencia rf de tipo mrf150 |
Puerto: |
En Shenzhen |
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