Resaltar:
Tipo de producto: |
MOSFET, transistores de efecto de campo, chips IC |
Temperatura de funcionamiento: |
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Tipo de montaje: |
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Descripción: |
transistores |
D/C: |
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Tipo de paquete: |
En el agujero |
Aplicación: |
Fines generales |
Tipo de proveedor: |
Fabricante original, ODM, agencia, minorista, otro |
Medios disponible: |
la ficha técnica, foto, EDA/CAD modela, otro |
Marca del producto: |
Transistor del MOSFET |
Actual - colector (Ic) (máximo): |
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Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): |
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Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: |
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Actual - atajo del colector (máximo): |
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Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: |
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Poder - máximo: |
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Frecuencia - transición: |
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Envase / estuche: |
2SK4115 |
Resistor - base (R1): |
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Resistor - base del emisor (R2): |
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Característica del FET: |
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): |
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: |
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: |
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: |
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: |
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Frecuencia: |
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Grado actual (amperios): |
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Figura de ruido: |
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Poder - salida: |
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Voltaje - clasificado: |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (máximo): |
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Tipo de IGBT: |
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Configuración: |
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Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: |
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Capacitancia entrada (Cies) @ Vce: |
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Ingreso: |
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Termistor de NTC: |
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Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
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Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Dren actual (identificación) - máxima: |
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Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
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Resistencia - RDS (encendido): |
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Válvula de tensión: |
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Voltaje - salida: |
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Voltaje - compensación (Vt): |
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Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao): |
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Actual - valle (iv): |
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Actual - pico: |
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Aplicaciones: |
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Tipo del transistor: |
Transistores de potencia rf de tipo mrf150 |
Puerto: |
el pueblo de Shenzhen |
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