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MOSFET de potencia para 220 IRF5210

Detalles del producto

Lugar de origen: Guangdong, China

Nombre de la marca: Original Brand

Número de modelo: IRF5210

Pago y términos de envío

Precio: $3.00/pieces 1-99 pieces

Detalles de empaquetado: paquete standar

Capacidad de la fuente: 13000 piezas por semana

Consiga el mejor precio
Resaltar:
Tipo de producto:
TO-220, chips de ic
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ), -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje:
A través del agujero, a través del agujero
Descripción:
Transistores, nuevos en el original
D/C:
-
Tipo de paquete:
En el agujero
Aplicación:
Electrónico
Tipo de proveedor:
Fabricante original, ODM, Agencia, distribuidor
Referencia recíproca:
-
Medios disponible:
ficha técnica, foto
Marca del producto:
MOSFET N-CH 55V 110A hasta 220AB
Actual - colector (Ic) (máximo):
-
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
-
Actual - atajo del colector (máximo):
-
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
-
Poder - máximo:
-
Frecuencia - transición:
-
Envase / estuche:
TO-220-3 y TO-220-3
Resistor - base (R1):
-
Resistor - base del emisor (R2):
-
Tipo del FET:
Canal N
Característica del FET:
-
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
55V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
110A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emision
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las emisiones de gases de
Frecuencia:
-
Grado actual (amperios):
-
Figura de ruido:
-
Poder - salida:
-
Voltaje - clasificado:
-
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (máximo):
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de IGBT:
-
Configuración:
-
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
-
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
-
Ingreso:
-
Termistor de NTC:
-
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Dren actual (identificación) - máxima:
-
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
-
Resistencia - RDS (encendido):
-
Válvula de tensión:
-
Voltaje - salida:
-
Voltaje - compensación (Vt):
-
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
-
Actual - valle (iv):
-
Actual - pico:
-
Aplicaciones:
-
Tipo del transistor:
Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Nombre del producto:
IRF5210
Situación sin plomo:
Sin plomo
Situación de los productos:
en stock
Precio unitario:
¡Éntrenos en contacto con por favor!
Manera de envío:
El número de correo electrónico que se envíe a través de la red
Puerto:
el pueblo de Shenzhen
Tipo de producto:
TO-220, chips de ic
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 175 °C (TJ), -55 °C ~ 175 °C (TJ)
Tipo de montaje:
A través del agujero, a través del agujero
Descripción:
Transistores, nuevos en el original
D/C:
-
Tipo de paquete:
En el agujero
Aplicación:
Electrónico
Tipo de proveedor:
Fabricante original, ODM, Agencia, distribuidor
Referencia recíproca:
-
Medios disponible:
ficha técnica, foto
Marca del producto:
MOSFET N-CH 55V 110A hasta 220AB
Actual - colector (Ic) (máximo):
-
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
-
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
-
Actual - atajo del colector (máximo):
-
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
-
Poder - máximo:
-
Frecuencia - transición:
-
Envase / estuche:
TO-220-3 y TO-220-3
Resistor - base (R1):
-
Resistor - base del emisor (R2):
-
Tipo del FET:
Canal N
Característica del FET:
-
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
55V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
110A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable es el valor de las emisiones
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable será el valor de las emision
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se calcularán en función de las emisiones de gases de e
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
Las emisiones de gases de efecto invernadero se determinarán en función de las emisiones de gases de
Frecuencia:
-
Grado actual (amperios):
-
Figura de ruido:
-
Poder - salida:
-
Voltaje - clasificado:
-
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (máximo):
Se aplicarán las siguientes medidas:
Tipo de IGBT:
-
Configuración:
-
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
-
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
-
Ingreso:
-
Termistor de NTC:
-
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
-
Dren actual (identificación) - máxima:
-
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
-
Resistencia - RDS (encendido):
-
Válvula de tensión:
-
Voltaje - salida:
-
Voltaje - compensación (Vt):
-
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
-
Actual - valle (iv):
-
Actual - pico:
-
Aplicaciones:
-
Tipo del transistor:
Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Nombre del producto:
IRF5210
Situación sin plomo:
Sin plomo
Situación de los productos:
en stock
Precio unitario:
¡Éntrenos en contacto con por favor!
Manera de envío:
El número de correo electrónico que se envíe a través de la red
Puerto:
el pueblo de Shenzhen
MOSFET de potencia para 220 IRF5210

La Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones de la Comisión.

Bienvenido a nuestra empresa! Somos su fuente de componentes electrónicos todo en uno. Nuestra experiencia radica en proporcionar una amplia variedad de componentes electrónicos para satisfacer sus diversos requisitos.Nosotros ofrecemos:- Semiconductores: microcontroladores, transistores, diodos, circuitos integrados - Componentes pasivos: resistencias, condensadores, inductores, conectores - Componentes electromecánicos: interruptores,los relés, actuadores de sensores - Fuentes de alimentación: reguladores de voltaje, convertidores de potencia, gestión de baterías - Optoelectrónica: LEDs, láseres, fotodiodos, sensores ópticos - RF y componentes inalámbricos: módulos RF,- las antenas, las comunicaciones inalámbricas - los sensores: sensores de temperatura, sensores de movimiento, sensores ambientales.
MOSFET de potencia para 220 IRF5210 0

Tipo: circuitos integrados Componentes electrónicos
DC22 más
MOQ: 1 pieza
Paquete: estándar
La gama de chips funcionales es amplia y cubre muchas áreas de aplicación diferentes, como comunicaciones, procesamiento de imágenes, control de sensores, procesamiento de audio, gestión de energía y más.
El tipo de fichas que tenemos



Circuitos integrados
IC de comparación
Encóder-Decodificador
Interfaces táctiles
IC de referencia de voltaje
Amplificador
Reinicie el IC del detector
IC del amplificador de potencia
IC de procesamiento de infrarrojos
Chip de interfaz
Chip de Bluetooth
Boost y Buck Chips
Chips de base de tiempo
Chips de comunicación del reloj
IC del transceptor
IC RF inalámbrico
Resistente de chip
Chip de almacenamiento 2
Chip de Ethernet
Circuitos integrados
MOSFET de potencia para 220 IRF5210 1
MOSFET de potencia para 220 IRF5210 2
MOSFET de potencia para 220 IRF5210 3
MOSFET de potencia para 220 IRF5210 4
MOSFET de potencia para 220 IRF5210 5