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Nuevo y original Transistor de canal N 55V 75A IRF1405 Irf1405pbf

Detalles del producto

Lugar de origen: Guangdong, China

Nombre de la marca: original

Número de modelo: IRF1405PBF

Pago y términos de envío

Cantidad de orden mínima: 10 piezas

Precio: $0.63/pieces 10-99 pieces

Detalles de empaquetado: Empaquetado antiestático

Capacidad de la fuente: 1000 pedazos/pedazos por Semana

Consiga el mejor precio
Resaltar:
Tipo de producto:
Chip IC, transistor de efecto de campo, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:
/
Tipo de montaje:
A través del agujero
Descripción:
/
D/C:
22+
Tipo de paquete:
En el agujero
Aplicación:
el transistor irf
Tipo de proveedor:
Las demás
Referencia recíproca:
Nuevo
Medios disponible:
Las demás
Marca del producto:
MOSFET P-CH 200V de 11A a 220AB
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
,
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
,
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
,
Envase / estuche:
TO-220-3
Resistor - base (R1):
,
Resistor - base del emisor (R2):
,
Tipo del FET:
P-canal
Característica del FET:
Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
200V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
11A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
500 mOhm @ 6.6A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
4V @ 250UA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
44nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
1200pF @ 25V
Frecuencia:
,
Grado actual (amperios):
,
Figura de ruido:
,
Poder - salida:
,
Voltaje - clasificado:
,
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (máximo):
±20V
Tipo de IGBT:
,
Configuración:
/
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
,
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
,
Ingreso:
,
Termistor de NTC:
,
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
,
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
,
Dren actual (identificación) - máxima:
,
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
/
Resistencia - RDS (encendido):
,
Válvula de tensión:
,
Voltaje - salida:
,
Voltaje - compensación (Vt):
,
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
,
Actual - valle (iv):
,
Actual - pico:
,
Aplicaciones:
,
Tipo del transistor:
Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Puerto:
el pueblo de Shenzhen
Tipo de producto:
Chip IC, transistor de efecto de campo, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Serie:
/
Tipo de montaje:
A través del agujero
Descripción:
/
D/C:
22+
Tipo de paquete:
En el agujero
Aplicación:
el transistor irf
Tipo de proveedor:
Las demás
Referencia recíproca:
Nuevo
Medios disponible:
Las demás
Marca del producto:
MOSFET P-CH 200V de 11A a 220AB
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima):
,
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic:
,
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce:
,
Envase / estuche:
TO-220-3
Resistor - base (R1):
,
Resistor - base del emisor (R2):
,
Tipo del FET:
P-canal
Característica del FET:
Estándar
Drene al voltaje de la fuente (Vdss):
200V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C:
11A (Tc)
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs:
500 mOhm @ 6.6A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @:
4V @ 250UA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:
44nC @ 10V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds:
1200pF @ 25V
Frecuencia:
,
Grado actual (amperios):
,
Figura de ruido:
,
Poder - salida:
,
Voltaje - clasificado:
,
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):
10 V
Vgs (máximo):
±20V
Tipo de IGBT:
,
Configuración:
/
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:
,
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce:
,
Ingreso:
,
Termistor de NTC:
,
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
,
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
,
Dren actual (identificación) - máxima:
,
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
/
Resistencia - RDS (encendido):
,
Válvula de tensión:
,
Voltaje - salida:
,
Voltaje - compensación (Vt):
,
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):
,
Actual - valle (iv):
,
Actual - pico:
,
Aplicaciones:
,
Tipo del transistor:
Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Puerto:
el pueblo de Shenzhen
Nuevo y original Transistor de canal N 55V 75A IRF1405 Irf1405pbf

La Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones de la Comisión.

Bienvenido a nuestra empresa! Somos su fuente de componentes electrónicos todo en uno. Nuestra experiencia radica en proporcionar una amplia variedad de componentes electrónicos para satisfacer sus diversos requisitos.Nosotros ofrecemos:- Semiconductores: microcontroladores, transistores, diodos, circuitos integrados - Componentes pasivos: resistencias, condensadores, inductores, conectores - Componentes electromecánicos: interruptores,los relés, actuadores de sensores - Fuentes de alimentación: reguladores de voltaje, convertidores de potencia, gestión de baterías - Optoelectrónica: LEDs, láseres, fotodiodos, sensores ópticos - RF y componentes inalámbricos: módulos RF,- las antenas, las comunicaciones inalámbricas - los sensores: sensores de temperatura, sensores de movimiento, sensores ambientales.
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Tipo: circuitos integrados Componentes electrónicos
DC22 más
MOQ: 1 pieza
Paquete: estándar
La gama de chips funcionales es amplia y cubre muchas áreas de aplicación diferentes, como comunicaciones, procesamiento de imágenes, control de sensores, procesamiento de audio, gestión de energía y más.
El tipo de fichas que tenemos



Circuitos integrados
IC de comparación
Encóder-Decodificador
Interfaces táctiles
IC de referencia de voltaje
Amplificador
Reinicie el IC del detector
IC del amplificador de potencia
IC de procesamiento de infrarrojos
Chip de interfaz
Chip de Bluetooth
Boost y Buck Chips
Chips de base de tiempo
Chips de comunicación del reloj
IC del transceptor
IC RF inalámbrico
Resistente de chip
Chip de almacenamiento 2
Chip de Ethernet
Circuitos integrados
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