Resaltar:
Tipo de producto: |
NA, transistor de efecto de campo, transistor IGBT |
Temperatura de funcionamiento: |
NA |
Serie: |
Estándar |
Tipo de montaje: |
Estándar |
Descripción: |
NA |
D/C: |
22+ |
Tipo de paquete: |
En el agujero |
Aplicación: |
Estándar |
Tipo de proveedor: |
Minorista |
Referencia recíproca: |
NA |
Medios disponible: |
Las demás |
Marca del producto: |
NA |
Actual - colector (Ic) (máximo): |
NA |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): |
NA |
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: |
NA |
Actual - atajo del colector (máximo): |
NA |
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: |
NA |
Poder - máximo: |
NA |
Frecuencia - transición: |
NA |
Envase / estuche: |
NA |
Resistor - base (R1): |
NA |
Resistor - base del emisor (R2): |
NA |
Tipo del FET: |
NA |
Característica del FET: |
Estándar |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss): |
NA |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: |
NA |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: |
NA |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @: |
NA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
NA |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: |
NA |
Frecuencia: |
NA |
Grado actual (amperios): |
NA |
Figura de ruido: |
NA |
Poder - salida: |
NA |
Voltaje - clasificado: |
NA |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): |
NA |
Vgs (máximo): |
NA |
Tipo de IGBT: |
NA |
Configuración: |
Estándar |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: |
NA |
Capacitancia entrada (Cies) @ Vce: |
NA |
Ingreso: |
NA |
Termistor de NTC: |
NA |
Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
NA |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
NA |
Dren actual (identificación) - máxima: |
NA |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
NA |
Resistencia - RDS (encendido): |
NA |
Válvula de tensión: |
NA |
Voltaje - salida: |
NA |
Voltaje - compensación (Vt): |
NA |
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao): |
NA |
Actual - valle (iv): |
NA |
Actual - pico: |
NA |
Aplicaciones: |
NA |
Tipo del transistor: |
Transistores de potencia rf de tipo mrf150 |
Puerto: |
el pueblo de Shenzhen |
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