Detalles del producto
Lugar de origen: Guangdong, China
Nombre de la marca: original
Número de modelo: S3A
Pago y términos de envío
Cantidad de orden mínima: 100 piezas
Precio: $0.03/pieces 100-999 pieces
Detalles de empaquetado: Empaquetado antiestático
Capacidad de la fuente: 10000 pedazos/pedazos por Semana
Tipo de producto: |
JFET, transistor IGBT |
Temperatura de funcionamiento: |
/ |
Serie: |
/ |
Tipo de montaje: |
/ |
Descripción: |
/ |
D/C: |
, |
Tipo de paquete: |
Montura de la superficie |
Aplicación: |
Diodos rectificadores de recuperación rápida |
Tipo de proveedor: |
otras |
Referencia recíproca: |
Estándar |
Medios disponible: |
Las demás |
Marca del producto: |
/ |
Actual - colector (Ic) (máximo): |
/ |
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): |
/ |
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic: |
/ |
Actual - atajo del colector (máximo): |
/ |
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: |
/ |
Poder - máximo: |
/// |
Frecuencia - transición: |
/ |
Envase / estuche: |
/ |
Resistor - base (R1): |
/ |
Resistor - base del emisor (R2): |
/ |
Tipo del FET: |
/ |
Característica del FET: |
/ |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss): |
/ |
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: |
/ |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: |
/ |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @: |
/ |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
/ |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: |
/ |
Frecuencia: |
/ |
Grado actual (amperios): |
/ |
Figura de ruido: |
/ |
Potencia - Producción: |
/ |
Voltaje - clasificado: |
// |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): |
// |
Vgs (máximo): |
/ |
Tipo de IGBT: |
/ |
Configuración: |
/ |
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: |
/ |
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce: |
/ |
Ingreso: |
/ |
Termistor de NTC: |
/ |
Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
/ |
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
/ |
Dren actual (identificación) - máxima: |
/ |
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
/ |
Resistencia - RDS (encendido): |
/ |
Válvula de tensión: |
/ |
Voltaje - salida: |
/ |
Voltaje - compensación (Vt): |
/ |
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao): |
/ |
Actual - valle (iv): |
/ |
Actual - pico: |
/ |
Aplicaciones: |
/ |
Tipo del transistor: |
Transistores de potencia rf de tipo mrf150 |
Puerto: |
En Shenzhen |
Tipo de producto: |
JFET, transistor IGBT |
Temperatura de funcionamiento: |
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Serie: |
/ |
Tipo de montaje: |
/ |
Descripción: |
/ |
D/C: |
, |
Tipo de paquete: |
Montura de la superficie |
Aplicación: |
Diodos rectificadores de recuperación rápida |
Tipo de proveedor: |
otras |
Referencia recíproca: |
Estándar |
Medios disponible: |
Las demás |
Marca del producto: |
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Actual - colector (Ic) (máximo): |
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Voltaje - avería del emisor del colector (máxima): |
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Vce saturación (máx) @ Ib, Ic: |
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Actual - atajo del colector (máximo): |
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Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: |
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Poder - máximo: |
/// |
Frecuencia - transición: |
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Envase / estuche: |
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Resistor - base (R1): |
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Resistor - base del emisor (R2): |
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Tipo del FET: |
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Característica del FET: |
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Drene al voltaje de la fuente (Vdss): |
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Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C: |
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Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs: |
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: |
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
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Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds: |
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Frecuencia: |
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Grado actual (amperios): |
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Figura de ruido: |
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Potencia - Producción: |
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Voltaje - clasificado: |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (máximo): |
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Tipo de IGBT: |
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Configuración: |
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Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic: |
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Capacidad de entrada (Cies) @ Vce: |
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Ingreso: |
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Termistor de NTC: |
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Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
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Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Dren actual (identificación) - máxima: |
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Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
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Resistencia - RDS (encendido): |
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Válvula de tensión: |
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Voltaje - salida: |
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Voltaje - compensación (Vt): |
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Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao): |
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Actual - valle (iv): |
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Actual - pico: |
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Aplicaciones: |
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Tipo del transistor: |
Transistores de potencia rf de tipo mrf150 |
Puerto: |
En Shenzhen |
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