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(Transistores de componentes electrónicos 2X) MMBT4401 MMBT4403 MMBT3904 MMBT3906 MMBT2222A MMBT2907A MMBT5551 MMBT5401 MMBT4401LT1G

Name: (Transistores de componentes electrónicos 2X) MMBT4401 MMBT4403 MMBT3904 MMBT3906 MMBT2222A MMBT2907A MMBT5551 MMBT5401 MMBT4401LT1G
Brand: ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
SKU: MBT3906DW1T1G
Price: 5.00 USD
Availability: InStock

Detalles del producto

Lugar de origen: Guangdong, China

Nombre de la marca: original

Número de modelo: MBT3906DW1T1G

Pago y términos de envío

Cantidad de orden mínima: 10 piezas

Precio: $1.00/pieces >=10 pieces

Detalles de empaquetado: Empaquetado antiestático

Capacidad de la fuente: 10000 piezas por semana

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Detalles del producto

Descripción de producto

Resaltar:

El tipo:	JFET, transistor de unión bipolar, transistor IGBT	Temperatura de funcionamiento:	/
Series:	Estándar	Tipo de montaje:	/
Descripción:	/	D/C:	Más de 22 años
Tipo de paquete:	Montura de la superficie	Solicitud:	No incluido
Tipo de proveedor:	otras	Referencia recíproca:	/
Medios disponibles:	otras	Marca:	/
Corriente - colector (Ic) (máximo):	/	Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):	/
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:	/	Corriente - límite del colector (máximo):	/
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:	/	Potencia - máximo:	/
Frecuencia - Transición:	/	Envase / estuche:	/
Resistencia - Base (R1):	/	Resistencia - Base del emisor (R2):	/
Tipo de FET:	/	Característica del FET:	/
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	/	Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:	/
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:	/	Vgs(th) (máximo) @ Id:	/
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:	/	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	/
Frecuencia:	/	Clasificación de corriente (amperios):	/
Figura del ruido:	/	Potencia - Producción:	/
Voltado nominal:	/	Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):	/
Vgs (máximo):	/	Tipo de IGBT:	/
Configuración:	/	Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:	/
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:	/	Ingreso:	/
El termistor NTC:	/	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	/
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	/	Dren actual (identificación) - máxima:	/
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	/	Resistencia - RDS (encendido):	/
Válvula de tensión:	/	Voltado - Salida:	/
Voltaje - compensación (Vt):	/	Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):	/
Actual - valle (iv):	/	Actual - pico:	/
Aplicaciones:	/	Tipo de transistor:	Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Puerto:	En Shenzhen

El tipo:	JFET, transistor de unión bipolar, transistor IGBT
Temperatura de funcionamiento:	/
Series:	Estándar
Tipo de montaje:	/
Descripción:	/
D/C:	Más de 22 años
Tipo de paquete:	Montura de la superficie
Solicitud:	No incluido
Tipo de proveedor:	otras
Referencia recíproca:	/
Medios disponibles:	otras
Marca:	/
Corriente - colector (Ic) (máximo):	/
Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo):	/
Vce saturación (máx) @ Ib, Ic:	/
Corriente - límite del colector (máximo):	/
La corriente continua de aceleración (hFE) (min) @ Ic, Vce:	/
Potencia - máximo:	/
Frecuencia - Transición:	/
Envase / estuche:	/
Resistencia - Base (R1):	/
Resistencia - Base del emisor (R2):	/
Tipo de FET:	/
Característica del FET:	/
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):	/
Corriente - Desagüe continuo (Id) @ 25°C:	/
Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs:	/
Vgs(th) (máximo) @ Id:	/
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs:	/
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	/
Frecuencia:	/
Clasificación de corriente (amperios):	/
Figura del ruido:	/
Potencia - Producción:	/
Voltado nominal:	/
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On):	/
Vgs (máximo):	/
Tipo de IGBT:	/
Configuración:	/
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:	/
Capacidad de entrada (Cies) @ Vce:	/
Ingreso:	/
El termistor NTC:	/
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	/
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	/
Dren actual (identificación) - máxima:	/
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	/
Resistencia - RDS (encendido):	/
Válvula de tensión:	/
Voltado - Salida:	/
Voltaje - compensación (Vt):	/
Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao):	/
Actual - valle (iv):	/
Actual - pico:	/
Aplicaciones:	/
Tipo de transistor:	Transistores de potencia rf de tipo mrf150
Puerto:	En Shenzhen

(Transistores de componentes electrónicos 2X) MMBT4401 MMBT4403 MMBT3904 MMBT3906 MMBT2222A MMBT2907A MMBT5551 MMBT5401 MMBT4401LT1G

La Comisión no ha tenido en cuenta las conclusiones de la Comisión.

Bienvenido a nuestra empresa! Somos su fuente de componentes electrónicos todo en uno. Nuestra experiencia radica en proporcionar una amplia variedad de componentes electrónicos para satisfacer sus diversos requisitos.Nosotros ofrecemos:- Semiconductores: microcontroladores, transistores, diodos, circuitos integrados - Componentes pasivos: resistencias, condensadores, inductores, conectores - Componentes electromecánicos: interruptores,los relés, actuadores de sensores - Fuentes de alimentación: reguladores de voltaje, convertidores de potencia, gestión de baterías - Optoelectrónica: LEDs, láseres, fotodiodos, sensores ópticos - RF y componentes inalámbricos: módulos RF,- las antenas, las comunicaciones inalámbricas - los sensores: sensores de temperatura, sensores de movimiento, sensores ambientales.

Tipo: circuitos integrados Componentes electrónicos

DC22 más

MOQ: 1 pieza

Paquete: estándar

La gama de chips funcionales es amplia y cubre muchas áreas de aplicación diferentes, como comunicaciones, procesamiento de imágenes, control de sensores, procesamiento de audio, gestión de energía y más.

El tipo de fichas que tenemos
Circuitos integrados	IC de comparación	Encóder-Decodificador	Interfaces táctiles
IC de referencia de voltaje	Amplificador	Reinicie el IC del detector	IC del amplificador de potencia
IC de procesamiento de infrarrojos	Chip de interfaz	Chip de Bluetooth	Boost y Buck Chips
Chips de base de tiempo	Chips de comunicación del reloj	IC del transceptor	IC RF inalámbrico
Resistente de chip	Chip de almacenamiento 2	Chip de Ethernet	Circuitos integrados

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