Resaltar:
El tipo: |
Transistores de alta frecuencia, transistores IGBT |
Temperatura de funcionamiento: |
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Series: |
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Tipo de montaje: |
/, Soporte superficial |
Descripción: |
/ |
D/C: |
más reciente |
Tipo de paquete: |
Montura de la superficie |
Solicitud: |
Frecuencia alta |
Tipo de proveedor: |
Agencia, minorista |
Referencias cruzadas: |
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Medios disponible: |
Ficha técnica |
Marca: |
Transistores de potencia de RF |
Corriente - colector (Ic) (máximo): |
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Voltado - Desglose del emisor del colector (máximo): |
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Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic: |
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Corriente - límite del colector (máximo): |
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Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce: |
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Poder - máximo: |
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Frecuencia - transición: |
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Envase / estuche: |
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Resistencia - Base (R1): |
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Resistor - base del emisor (R2): |
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Tipo del FET: |
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Característica del FET: |
Diodo de Schottky (aislado) |
Voltagem de salida a la fuente (Vdss): |
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Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C: |
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Rds encendido (máximo) @ Id, Vgs: |
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Identificación de Vgs (th) (máximo) @: |
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Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs: |
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds: |
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Frecuencia: |
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Clasificación de corriente (amperios): |
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Figura de ruido: |
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Potencia - Producción: |
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Voltado nominal: |
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Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On): |
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Vgs (máximo): |
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Tipo de IGBT: |
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Configuración: |
Medio puente |
Vce ((on) (máximo) @ Vge, Ic: |
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Capacitancia entrada (Cies) @ Vce: |
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Ingreso: |
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Termistor de NTC: |
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Voltaje - avería (V (BR) GSS): |
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Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0): |
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Dren actual (identificación) - máxima: |
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Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @: |
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Resistencia - RDS (encendido): |
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Válvula de tensión: |
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Voltaje - salida: |
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Voltaje - compensación (Vt): |
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Actual - puerta a la salida del ánodo (Igao): |
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Actual - valle (iv): |
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Actual - pico: |
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Aplicaciones: |
Los PCB |
Tipo de transistor: |
Transistores de potencia rf de tipo mrf150 |
Condición: |
original y nuevo MRF6S21100 |
Puerto: |
SZ |
Transistor de potencia de RF de microondas HF/VHF/UHF MOSFET MRF6S21100
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