Resaltar:
El tipo: |
Componentes electrónicos |
Descripción: |
Fototransistor |
Voltado - Descomposición: |
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Frecuencia - Cambio: |
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Potencia (watts): |
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Temperatura de funcionamiento: |
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Tipo de montaje: |
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Voltagem - Alimentación (min): |
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Voltagem - Alimentación (máximo): |
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Voltado - Salida: |
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Corriente - Salida / Canal: |
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Frecuencia: |
Estándar |
Aplicaciones: |
circuito integrado |
Tipo de FET: |
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Corriente de salida (máximo): |
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Corriente - Suministro: |
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Voltagem - Suministro: |
Estándar |
Frecuencia - máximo: |
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Potencia - máximo: |
Estándar |
Las normas de seguridad: |
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Función: |
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Fuente de suministro de tensión - interna: |
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Frecuencia - atajo o centro: |
normalidad |
Actual - salida (ES (apagado)) (Máximo): |
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Poder aislado: |
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Voltado - aislamiento: |
Estándar |
Corriente - Salida alta y baja: |
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Actual - salida máxima: |
Estándar |
Voltaje - delantero (Vf) (tipo): |
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Actual - DC delantero (si) (máximo): |
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Tipo de entrada: |
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Tipo de salida: |
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Ratio de transferencia actual (minuto): |
Estándar |
Ratio de transferencia actual (máximo): |
normalidad |
Voltagem - salida (máximo): |
Estándar |
Voltado - Desactivado: |
/ |
DV/dt estático (minuto): |
/ |
Actual - disparador del LED (Ift) (máximo): |
/ |
Actual - en el estado (él (RMS)) (Máximo): |
/ |
Impedancia: |
/ |
Impedancia - desequilibrada/equilibrada: |
/ |
Frecuencia LO: |
/ |
Frecuencia de RF: |
/ |
Gama entrada: |
/ |
Potencia de salida: |
/ |
Bandas de frecuencia (bajas / altas): |
/ |
las especificaciones: |
/ |
Tamaño / Dimensión: |
/ |
Modulación o protocolo: |
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Interfaz: |
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Potencia - Producción: |
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Tamaño de la memoria: |
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El Protocolo: |
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Modulación: |
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Interfaces en serie: |
normalidad |
El GPIO: |
/ |
IC utilizado/parte: |
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Normas: |
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El estilo: |
/ |
Tipo de memoria: |
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Memoria programable: |
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Resistencia (Ohms): |
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Referencias cruzadas: |
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Puerto: |
En Shenzhen |
El módulo SIM7600E de banda múltiple LTE-TDD GSM/GPRS/EDGE
¡Su mensaje debe tener entre 20 y 3.000 caracteres!