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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
750 mV @ 1 μA
Potencia - máximo:
310 mW
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
7pF @ 15V
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
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-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 15 V
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750 mV @ 1 μA
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El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
7pF @ 15V
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Las partidas 2N5460
JFET Canal P 40 V 310 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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