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2SK880GRTE85LF. No se puede utilizar.

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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.6 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SC-70
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 100 nA
Potencia - máximo:
100 mW
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Número del producto de base:
2SK880
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.6 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
SC-70
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 100 nA
Potencia - máximo:
100 mW
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Número del producto de base:
2SK880
2SK880GRTE85LF. No se puede utilizar.
JFET N-Canal 50 V 100 mW Montura de superficie SC-70