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Descripción: El valor de las emisiones de gases de efecto invernadero es el valor de las emisiones de gases de ef

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
60 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
6 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
Potencia - máximo:
500 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2N5115
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
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Series:
Militar, MIL-PRF-19500
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
60 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
6 V @ 1 nA
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3-SMD, sin plomo
Potencia - máximo:
500 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2N5115
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Se aplicarán los siguientes requisitos:
JFET P-Canal 30 V 500 mW Montaje de superficie UB

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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