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2N2608
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET P-CH 30V a 18

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método de cálculo de la velocidad.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
750 mV @ 1 μA
Potencia - máximo:
300 mW
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
10pF @ 5V
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
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Tipo de FET:
P-canal
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30 V
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Paquete:
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Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
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750 mV @ 1 μA
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El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
10pF @ 5V
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
2N2608
JFET P-Canal 30 V 300 mW a través del agujero TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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