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MQ2N2608
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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los sistemas de combustión renovable de los Estados

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/295 Las fuerzas armadas
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método de cálculo de la velocidad.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
6 V @ 1 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
5 mA
El Sr.:
Tecnología de microchips
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
10pF @ 5V
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/295 Las fuerzas armadas
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 5 V
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6 V @ 1 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
5 mA
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
10pF @ 5V
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
MQ2N2608
JFET P-Canal 30 V 5 mA 300 mW a través del agujero TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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