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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
El Sr.:
NXP EE.UU. Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-23 (TO-236AB)
Dren actual (identificación) - máxima:
10 mA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 10V
Potencia - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Número del producto de base:
BFR31
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
El Sr.:
NXP EE.UU. Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-23 (TO-236AB)
Dren actual (identificación) - máxima:
10 mA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 10V
Potencia - máximo:
250 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Número del producto de base:
BFR31
BFR31, ¿qué quieres decir?215
JFET N-Channel 10 mA 250 mW Montado de superficie SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

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