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Se trata de una serie de medidas de seguridad.215
Se trata de una serie de medidas de seguridad.215

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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
El Sr.:
NXP EE.UU. Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-23 (TO-236AB)
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Potencia - máximo:
300 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Resistencia - RDS (encendido):
Las demás partidas
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
El Sr.:
NXP EE.UU. Inc.
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-23 (TO-236AB)
Envase / estuche:
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300 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8pF @ 10V (VGS)
Resistencia - RDS (encendido):
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Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Se trata de una serie de medidas de seguridad.215
JFET P-Channel 30 V 300 mW Montado de superficie SOT-23 (TO-236AB)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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