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2SK23800QL: las condiciones de las operaciones de las entidades de crédito

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las pruebas de ensayo.

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 μA @ 10 V
El Sr.:
Componentes electrónicos de Panasonic
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.3 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1pF @ 10V
Potencia - máximo:
125 mW
Envase / estuche:
SC-89, SOT-490
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
2SK2380
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
50 μA @ 10 V
El Sr.:
Componentes electrónicos de Panasonic
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.3 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Dren actual (identificación) - máxima:
1 MA
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
1pF @ 10V
Potencia - máximo:
125 mW
Envase / estuche:
SC-89, SOT-490
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
2SK2380
2SK23800QL: las condiciones de las operaciones de las entidades de crédito
JFET N-Canal 1 mA 125 mW Montado de superficie SSMini3-F2