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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable no excederá de:
El Sr.:
Corporación Microsemi
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
10 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2N4859
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable no excederá de:
El Sr.:
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Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
10 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
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Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2N4859
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
JFET N-Canal 30 V 360 mW a través del agujero TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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