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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión renovable se calcular

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
El bolso
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
El Sr.:
NTE Electronics, Inc. y sus subsidiarios
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Potencia - máximo:
625 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
El bolso
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2 mA @ 15 V
El Sr.:
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Potencia - máximo:
625 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
Las demás:
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
No se incluyen en la lista.
JFET N-Canal 35 V 625 mW a través del agujero TO-92

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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