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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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PN4393 TRA

Detalles del producto

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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión renovable se calcular

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 20 V
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
14pF @ 20V
Potencia - máximo:
625 mW
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Número del producto de base:
PN4393
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 20 V
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
14pF @ 20V
Potencia - máximo:
625 mW
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Número del producto de base:
PN4393
PN4393 TRA
JFET N-Canal 40 V 625 mW a través del agujero TO-92-3