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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Potencia - máximo:
225 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Número del producto de base:
BFR31
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2.5 V @ 0,5 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Potencia - máximo:
225 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Número del producto de base:
BFR31
BFR31LT1
JFET N-Channel 225 mW Montaje de superficie SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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