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Detalles del producto

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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Número del producto de base:
J271
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
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Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
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1.5 V @ 1 nA
Potencia - máximo:
350 mW
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Número del producto de base:
J271
J271
JFET Canal P 30 V 350 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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