logo
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Inicio
Productos
Componentes electrónicos ICs
ST ICS
RENESAS IC
Analog Devices ADI
Texas Instruments National Semiconductor
EN el semiconductor Fairchild
Semiconductor de escala libre
Vishay IC
Componentes electrónicos de Infineon
Circuitos integrados IC
AOS IC
Componentes electrónicos de Atmel
Microprocesador de Altera
Xilinx IC
Microcontrolador MCU
Micrón ISSI Samsung
Transistor del triodo del diodo
UTC ICS DE ROHM
Circuito integrado del microchip
Resistencias y condensadores
Videos
Sobre nosotros
Perfil de compañía
Viaje de la fábrica
Control de calidad
Contacto
eventos
noticias
casos
spanish
english
français
Deutsch
Italiano
Русский
Español
português
Nederlandse
ελληνικά
日本語
한국
العربية
हिन्दी
Türkçe
bahasa indonesia
tiếng Việt
ไทย
বাংলা
فارسی
polski
cita
Inicio
Productos
Componentes electrónicos ICs
ST ICS
RENESAS IC
Analog Devices ADI
Texas Instruments National Semiconductor
EN el semiconductor Fairchild
Semiconductor de escala libre
Vishay IC
Componentes electrónicos de Infineon
Circuitos integrados IC
AOS IC
Componentes electrónicos de Atmel
Microprocesador de Altera
Xilinx IC
Microcontrolador MCU
Micrón ISSI Samsung
Transistor del triodo del diodo
UTC ICS DE ROHM
Circuito integrado del microchip
Resistencias y condensadores
Videos
Sobre nosotros
Perfil de compañía
Viaje de la fábrica
Control de calidad
Contacto
Eventos
noticias
casos
Éntrenos en contacto con
productos
productos
Hogar > productos > Transistor del triodo del diodo > Se aplicará el procedimiento siguiente:
Categorías

Componentes electrónicos ICs

(57576)

ST ICS

(683)

RENESAS IC

(105)

Analog Devices ADI

(1140)

Texas Instruments National Semiconductor

(1489)

EN el semiconductor Fairchild

(911)

Semiconductor de escala libre

(495)

Vishay IC

(204)

Componentes electrónicos de Infineon

(161)

Circuitos integrados IC

(258)

AOS IC

(545)

Componentes electrónicos de Atmel

(130)

Microprocesador de Altera

(153)

Xilinx IC

(170)

Microcontrolador MCU

(2101)

Micrón ISSI Samsung

(2840)

Transistor del triodo del diodo

(2061)

UTC ICS DE ROHM

(2643)

Circuito integrado del microchip

(1079)

Resistencias y condensadores

(3067)
Contactos
Contactos: Miss. Amy
Teléfono: 86-180-3344-1064
Fax:
Contacto ahora
Envíenos
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Se aplicará el procedimiento siguiente:

Se aplicará el procedimiento siguiente:

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Trans GP JFET N-CH 25V hasta el 92

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
500 mV @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Temperatura de funcionamiento:
135°C (TJ)
Potencia - máximo:
310 mW
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 Cuerpo largo (pistas formadas)
Resistencia - RDS (encendido):
18 ohmios
Número del producto de base:
J110
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
500 mV @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Temperatura de funcionamiento:
135°C (TJ)
Potencia - máximo:
310 mW
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 Cuerpo largo (pistas formadas)
Resistencia - RDS (encendido):
18 ohmios
Número del producto de base:
J110
Se aplicará el procedimiento siguiente:
Canal N 25 V 310 mW de JFET a través del agujero TO-92 (TO-226)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

Productos similares
Transistor TO-247 IRFP LOS 2P4M del triodo del diodo de los 2P4M IRFP260N 200V 50A Vídeo

Transistor TO-247 IRFP LOS 2P4M del triodo del diodo de los 2P4M IRFP260N 200V 50A

Consiga el mejor precio
Paquete bipolar del transistor de poder del triodo TIP137 NPN 100V 6A TO-220-3 Vídeo

Paquete bipolar del transistor de poder del triodo TIP137 NPN 100V 6A TO-220-3

Consiga el mejor precio
Transistor 150V 104A TO220AB del canal N del transistor del triodo del diodo TIP120 Vídeo

Transistor 150V 104A TO220AB del canal N del transistor del triodo del diodo TIP120

Consiga el mejor precio
Transistor 3 Pin Voltage Regulator Ic 1000V 1A del triodo del diodo MJE13003-2 Vídeo

Transistor 3 Pin Voltage Regulator Ic 1000V 1A del triodo del diodo MJE13003-2

Consiga el mejor precio
Arsenal Ic 600V 15A To247 del Mosfet del transistor del triodo del diodo de MBRF30100VT+ Vídeo

Arsenal Ic 600V 15A To247 del Mosfet del transistor del triodo del diodo de MBRF30100VT+

Consiga el mejor precio
Los requisitos de la norma ISO 7651 se aplican a los vehículos de las categorías M1 y M2.

Los requisitos de la norma ISO 7651 se aplican a los vehículos de las categorías M1 y M2.

Consiga el mejor precio
U404 a 71 6L

U404 a 71 6L

Consiga el mejor precio
Se aplicarán las siguientes medidas:

Se aplicarán las siguientes medidas:

Consiga el mejor precio
2N4392 TO-18 3L con arreglo a las normas ROHS

2N4392 TO-18 3L con arreglo a las normas ROHS

Consiga el mejor precio
Se aplicarán las siguientes medidas:

Se aplicarán las siguientes medidas:

Consiga el mejor precio
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Consiga el mejor precio
ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
productos

Componentes electrónicos ICs

ST ICS

RENESAS IC

Analog Devices ADI

Texas Instruments National Semiconductor

EN el semiconductor Fairchild

Semiconductor de escala libre

Abbyma@qingfengyuan.net 86-180-3344-1064
Sitio 2808-2809, Duhuixuan, no. 3018, avenida de Shennan, comunidad de Huahang, calle del norte de Huaqiang, distrito de Futian, Shenzhen
Vínculos rápidos
Perfil de compañía Viaje de la fábrica Control de calidad noticias Mapa del Sitio Políticas de privacidad
Buena calidad de China Componentes electrónicos ICs Proveedor. © de Copyright 2023-2025 electroniccomponentsics.com . Todos los derechos reservados.