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Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Número del producto de base:
BSR58: las condiciones de los productos
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Número del producto de base:
BSR58: las condiciones de los productos
Las condiciones de los requisitos de seguridad de los vehículos de motor
JFET N-Channel 40 V 350 mW Montaje de superficie SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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