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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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El número de personas afectadas

Detalles del producto

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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión renovable se calcular

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 cuerpo largo
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
50 ohmios
Número del producto de base:
El contenido de la sustancia
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 cuerpo largo
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
50 ohmios
Número del producto de base:
El contenido de la sustancia
El número de personas afectadas
JFET Canal N 35 V 350 mW a través del agujero TO-92 (TO-226)