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Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión renovable se calcular

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 Cuerpo largo (pistas formadas)
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
30 ohmios
Número del producto de base:
El contenido de nitrato de sodio es:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
En el caso de los vehículos de motor, el número de vehículo de motor es el siguiente:
Envase / estuche:
TO-226-3, TO-92-3 Cuerpo largo (pistas formadas)
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
30 ohmios
Número del producto de base:
El contenido de nitrato de sodio es:
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche.
JFET Canal N 35 V 350 mW a través del agujero TO-92 (TO-226)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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