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Las partidas 2N5116

Detalles del producto

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Descripción: JFET P-CH 30V a 18

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
El estado sólido Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
25pF @ 15V
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Potencia - máximo:
500 mW
El Sr.:
El estado sólido Inc.
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
25pF @ 15V
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Las partidas 2N5116
JFET Canal P 30 V 500 mW a través del agujero TO-18