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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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P1086_D75Z

Detalles del producto

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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 20 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
10 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
45 pF @ 15V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás:
Número del producto de base:
P1086
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 20 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
10 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
45 pF @ 15V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
Los demás:
Número del producto de base:
P1086
P1086_D75Z
JFET Canal P 30 V 350 mW a través del agujero TO-92-3