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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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El objetivo de las medidas es:

Detalles del producto

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Descripción: El número de unidades de la unidad de ensayo será el número de unidades de ensayo.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
El Sr.:
Componentes electrónicos de Panasonic
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
5 V @ 10 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SMini3-F2-B
Dren actual (identificación) - máxima:
30 mA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 10V
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
Las demás:
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
55 V
Número del producto de base:
Las condiciones de funcionamiento de las instalaciones
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Descatalogado en Digi-Key
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
1 mA @ 10 V
El Sr.:
Componentes electrónicos de Panasonic
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
5 V @ 10 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SMini3-F2-B
Dren actual (identificación) - máxima:
30 mA
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 10V
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
Las demás:
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
55 V
Número del producto de base:
Las condiciones de funcionamiento de las instalaciones
El objetivo de las medidas es:
JFET N-Canal 30 mA 150 mW Montado de superficie SMini3-F2-B