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Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Se trata de un sistema de control de las emisiones.

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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET P-CH 30V a 18

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
Militar, MIL-PRF-19500
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
6 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se aplicará el método de cálculo de la velocidad.
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
500 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
27 pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
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Series:
Militar, MIL-PRF-19500
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
El Sr.:
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6 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
500 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
27 pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Se trata de un sistema de control de las emisiones.
JFET P-Canal 30 V 500 mW a través del agujero TO-18 (TO-206AA)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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