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Se trata de una prueba de la seguridad de la seguridad.
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Detalles del producto

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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
El Sr.:
Vishay Siliconix
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
5 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-236
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
20 pF @ 0V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
85 ohmios
Número del producto de base:
Se trata de la siguiente serie:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
El Sr.:
Vishay Siliconix
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
5 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-236
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
20 pF @ 0V
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
85 ohmios
Número del producto de base:
Se trata de la siguiente serie:
Se trata de una prueba de la seguridad de la seguridad.
JFET P-Canal 30 V 350 mW Montaje de superficie para el TO-236

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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