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El BSV80
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET N-CH TO18

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
10 mA @ 15 V
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
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-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
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Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
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350 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
El BSV80
JFET N-Canal 350 mW a través del agujero TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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