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Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	P-canal
Estado del producto:	No está disponible	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	40 V
Tipo de montaje:	A través del agujero	paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	-	Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	4 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	1.8 V @ 1 μA
Potencia - máximo:	350 mW	El Sr.:	en semi
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	7pF @ 15V
Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas	Número del producto de base:	2N5462

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	P-canal
Estado del producto:	No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	40 V
Tipo de montaje:	A través del agujero
paquete:	Cintas y bobinas (TR)
Serie:	-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	4 mA @ 15 V
Paquete de dispositivos del proveedor:	TO-92-3
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	1.8 V @ 1 μA
Potencia - máximo:	350 mW
El Sr.:	en semi
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	7pF @ 15V
Envase / estuche:	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) formó las ventajas
Número del producto de base:	2N5462

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JFET P-Canal 40 V 350 mW a través del agujero TO-92-3

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