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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
5 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
50 ohmios
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
Las demás:
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
5 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Potencia - máximo:
350 mW
Resistencia - RDS (encendido):
50 ohmios
El contenido de la sustancia
JFET Canal N 35 V 350 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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