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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

2N5115

Detalles del producto

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Descripción: JFET P-CH 30V a 18

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
500 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Potencia - máximo:
500 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
25pF @ 15V
Resistencia - RDS (encendido):
100 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
2N5115
JFET Canal P 30 V 500 mW a través del agujero TO-18