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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión renovable se calcular

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.5 mA @ 15 V
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-92-3
Envase / estuche:
En el caso de los productos de la categoría "A" se incluyen los productos de la categoría "A", "B",
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 15V
Potencia - máximo:
360 mW
Resistencia - RDS (encendido):
375 ohmios
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
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30 V
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A través del agujero
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Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 15V
Potencia - máximo:
360 mW
Resistencia - RDS (encendido):
375 ohmios
2N5953
JFET N-Canal 30 V 360 mW a través del agujero TO-92-3

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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