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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
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Se trata de un documento de identificación de la empresa.

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma de calidad.

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4.5 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-223-4
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
1 W
Resistencia - RDS (encendido):
3 ohmios
Número del producto de base:
JFTJ1
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4.5 V @ 1 μA
Paquete de dispositivos del proveedor:
SOT-223-4
Envase / estuche:
Se trata de un sistema de gestión de la seguridad.
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Potencia - máximo:
1 W
Resistencia - RDS (encendido):
3 ohmios
Número del producto de base:
JFTJ1
Se trata de un documento de identificación de la empresa.
JFET N-Canal 25 V 1 W Montaje de superficie SOT-223-4