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2N2608
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET P-CH 30V a 18

Consiga el mejor precio

Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
No está disponible
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Orificio pasante
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-18
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 μA
Potencia - máximo:
300 mW
El Sr.:
Corporación Central de Semiconductores
Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
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30 V
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Paquete:
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-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de dióxido de carbono es el siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1 V @ 1 μA
Potencia - máximo:
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Temperatura de funcionamiento:
-
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
-
Envase / estuche:
TO-206AA, metal TO-18-3 puede
2N2608
JFET P-Canal 30 V 300 mW a través del agujero TO-18

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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