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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
24 mA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2.5 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Potencia - máximo:
225 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
25 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
24 mA @ 10 V
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
2.5 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
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Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
5pF @ 10V (VGS)
Potencia - máximo:
225 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
25 V
Número del producto de base:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
JFET N-Canal 25 V 225 mW Montaje de superficie SOT-23-3 (TO-236)

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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