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Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.

Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
225 mW
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Número del producto de base:
MMBFJ175
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
P-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:
En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
225 mW
Resistencia - RDS (encendido):
125 ohmios
Número del producto de base:
MMBFJ175
Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
P-canal 30 V de JFET soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 225 mW

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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