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2SK3320-BL ((TE85L,F)
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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
Vía de la Unión
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
200 mW
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control de las emisiones.
Número del producto de base:
2SK3320
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
6 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Potencia - máximo:
200 mW
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Envase / estuche:
Se trata de una serie de medidas de control de las emisiones.
Número del producto de base:
2SK3320
2SK3320-BL ((TE85L,F)
JFET N-Channel 200 mW USV de montaje de superficie

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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