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2SK879-GR ((TE85L,F)

Detalles del producto

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Descripción: JFET N-CH USM

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Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.6 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
USM
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
100 mW
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Número del producto de base:
2SK879
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
2.6 mA @ 10 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
USM
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
100 mW
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
8.2pF @ 10V
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Número del producto de base:
2SK879
2SK879-GR ((TE85L,F)
JFET N-Channel 100 mW USM de montaje de superficie