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Descripción: Las emisiones de gases de efecto invernadero de los Estados miembros se calcularán en función de las

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Descripción de producto

Resaltar:

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET	Tipo de FET:	P-canal
estado del producto:	Actividad	Voltaje - avería (V (BR) GSS):	30 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie	Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:	En el caso de las	Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.	Envase / estuche:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)	Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:	225 mW	Resistencia - RDS (encendido):	125 ohmios
Número del producto de base:	Las condiciones de los vehículos de transporte se establecen en el anexo I.

Categoría:	Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:	P-canal
estado del producto:	Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):	30 V
Tipo de montaje:	Montura de la superficie
Paquete:	Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):	El valor de las emisiones de CO2
El Sr.:	En el caso de las
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:	3 V @ 10 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:	Se trata de un sistema de control de las emisiones de gases de escape.
Envase / estuche:	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Temperatura de funcionamiento:	-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:	Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:	225 mW
Resistencia - RDS (encendido):	125 ohmios
Número del producto de base:	Las condiciones de los vehículos de transporte se establecen en el anexo I.

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P-canal 30 V de JFET soporte superficial SOT-23-3 (TO-236) de 225 mW

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