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ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.

2N3823

Detalles del producto

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Descripción: Se aplicarán las siguientes medidas:

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Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/375 El uso de armas de fuego
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
8 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-72
Envase / estuche:
En el caso de los vehículos de la categoría M2 y M3, el valor de los valores de referencia se calcul
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 15V
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2N3823
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
En bruto
Serie:
Militar, MIL-PRF-19500/375 El uso de armas de fuego
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
20 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
8 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-72
Envase / estuche:
En el caso de los vehículos de la categoría M2 y M3, el valor de los valores de referencia se calcul
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 15V
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Número del producto de base:
2N3823
2N3823
JFET N-Canal 30 V 300 mW a través del agujero TO-72