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No se aplican las disposiciones de la Directiva 2008/57/CE.
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: JFET N-CH 40V a 218

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
El bolso
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 de los motores de combustión renovable
El Sr.:
NTE Electronics, Inc
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
4 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-218
Envase / estuche:
TO-218-3
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
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40 V
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A través del agujero
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Serie:
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El Sr.:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
25 ohmios
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Temperatura de funcionamiento:
-
No se aplican las disposiciones de la Directiva 2008/57/CE.
JFET N-Canal 40 V 360 mW a través del agujero TO-218

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

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