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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
A través del agujero
paquete:
El bolso
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
El Sr.:
NTE Electronics, Inc
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
6 V @ 1 nA
Paquete de dispositivos del proveedor:
TO-72
Envase / estuche:
En el caso de los vehículos de la categoría M2 y M3, el valor de los valores de referencia se calcul
Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 15V
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Categoría:
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Tipo de FET:
N-canal
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30 V
Tipo de montaje:
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Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
5 mA @ 15 V
El Sr.:
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Temperatura de funcionamiento:
-65 °C ~ 175 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4pF @ 15V
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
NTE452
JFET N-Canal 30 V 300 mW a través del agujero TO-72

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

Transistor del triodo del diodo a través del montaje del agujero,

transistor del triodo del diodo de 200V 50A

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