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2SK209-Y (TE85L, F)
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Detalles del producto

Pago y términos de envío

Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
SC-59
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 100 nA
Dren actual (identificación) - máxima:
14 mA
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Número del producto de base:
2SK209
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
Estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
50 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Serie:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
El valor de las emisiones de CO2 será el siguiente:
Paquete de dispositivos del proveedor:
SC-59
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 100 nA
Dren actual (identificación) - máxima:
14 mA
El Sr.:
Toshiba Semiconductor y almacenamiento
Temperatura de funcionamiento:
125°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
Se aplicarán las siguientes medidas:
Potencia - máximo:
150 mW
Envase / estuche:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 y otros
Número del producto de base:
2SK209
2SK209-Y (TE85L, F)
JFET N-Canal 50 V 14 mA 150 mW Montado de superficie SC-59

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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