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Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Las demás
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
4 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
8 V @ 500 pA
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 15V
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Categoría:
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-
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3-SMD, sin plomo
Temperatura de funcionamiento:
-55°C ~ 200°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6pF @ 15V
Potencia - máximo:
300 mW
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Se aplican las siguientes condiciones:
JFET N-Canal 30 V 300 mW Montaje de superficie UB

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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