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MX2N4861UB/TR
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Descripción: El valor de las emisiones de CO2 de las instalaciones eléctricas de combustión interna

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR)
Series:
Militar, MIL-PRF-19500/385: el uso de armas de fuego.
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
8 mA @ 15 V
El Sr.:
Tecnología de microchips
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
Las emisiones de dióxido de carbono y de nitrógeno
Paquete de dispositivos del proveedor:
El número de
Envase / estuche:
3-SMD, sin plomo
Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
30 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
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Series:
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8 mA @ 15 V
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Potencia - máximo:
360 mW
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
18pF @ 10V
Resistencia - RDS (encendido):
60 ohmos
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
30 V
Temperatura de funcionamiento:
-65°C ~ 200°C (TJ)
MX2N4861UB/TR
JFET N-Canal 30 V 360 mW Montaje de superficie UB

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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