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JFE2140DR
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Descripción: Se aplicará el procedimiento de ensayo de la norma ISO/IEC 1704:2008.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 0,1 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
50 mA
El Sr.:
Las acciones de Texas Instruments
Temperatura de funcionamiento:
-55 °C ~ 150 °C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
13pF @ 5V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
JFE2140
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
Canal N 2 (dual)
estado del producto:
Actividad
Voltaje - avería (V (BR) GSS):
40 V
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
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Series:
-
Paquete de dispositivos del proveedor:
8-SOIC
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
1.5 V @ 0,1 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
50 mA
El Sr.:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
13pF @ 5V
Envase / estuche:
8 SOIC (0,154", 3,90 mm de ancho)
Voltagem de salida a la fuente (Vdss):
40 V
Número del producto de base:
JFE2140
JFE2140DR
JFET 2 N-Channel (doble) 40 V 50 mA Montaje de superficie 8-SOIC

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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