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MCH3914-8-TL-H
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Descripción: Se aplicará el método de ensayo de las emisiones de gases de efecto invernadero.

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Detalles del producto

Descripción de producto
Resaltar:
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 5 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
3-MCPH
Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
600 mV @ 10 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
50 mA
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
150°C (TJ)
Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4.9pF @ 5V
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Número del producto de base:
MCH3914
Categoría:
Productos discretos de semiconductores Transistores Los JFET
Tipo de FET:
N-canal
estado del producto:
Actividad
Tipo de montaje:
Montura de la superficie
Paquete:
Cintas y bobinas (TR) Banda cortante (TC) Digi-Reel®
Series:
-
Actual - dren (Idss) @ Vds (Vgs=0):
25 mA @ 5 V
Paquete de dispositivos del proveedor:
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Voltaje - identificación del atajo (VGS apagado) @:
600 mV @ 10 μA
Dren actual (identificación) - máxima:
50 mA
El Sr.:
En el caso de las
Temperatura de funcionamiento:
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Capacidad de entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
4.9pF @ 5V
Potencia - máximo:
300 mW
Envase / estuche:
SC-70, SOT-323: las pruebas de las mismas.
Número del producto de base:
MCH3914
MCH3914-8-TL-H
JFET N-Canal 50 mA 300 mW Montado en superficie 3-MCPH

Tags:

Transistor del triodo del diodo de IRFP90N20D,

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